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IC China2019丨蘇州納維科技有限公司董事長徐科:全氮化鎵器件將是明確發展方向

蘇州納維科技有限公司
來源:中國電子報

編者按:日前,第二屆全球IC企業家大會在上海舉辦。作為六個分論壇之一的化合物半導體產業趨勢論壇同期舉辦,分論壇由賽迪智庫集成電路研究所、中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟承辦,主題為《迎接化合物半導體的產業化浪潮》,與會專家就化合物半導體材料、芯片、設備等發展現狀及未來趨勢進行了研討。


蘇州納維科技有限公司董事長徐科:
2005年,甚至更早一點,碳化硅還沒有商業化的單晶碳化硅襯底,全部是在硅上生長,今天的氮化鎵是在碳化硅或者是硅上外延,所以從半導體材料角度來看,材料的質量是非常關鍵的。
氮化鎵的發展是從藍光LED發展開始的。藍光LED主要是在藍寶石上外延,是目前絕對主流技術。隨著技術的發展,基于氮化鎵的外延技術發展出了功率器件,特別是硅上的氮化鎵。將來這個技術最大的空間是電壓600V以下的功率器件。而射頻器件主要采用的是碳化硅基氮化鎵,主要因為散熱的考慮,現在基站射頻器件,70%的能量是熱量,30%是發射微波,碳化硅散熱更好,所以是首選。
從長遠發展來看,基于氮化鎵單晶材料的高質量,全氮化鎵器件是明確的發展方向,但是發展有多快,需要產業界慢慢驗證。其中一個是延續半導體照明和光電子,把半導體照明和LED技術繼續研發下去,尤其是做激光器肯定需要氮化鎵單晶材料,因為激光器的功率密度很高,這時材料質量的重要性就顯示出來了。未來,功率電子和微波也是全氮化鎵器件的發展方向。
氮化鎵的單晶材料生長最成熟的方法是HVPE法。首先,要把材料做得很厚,或者是質量做得很好,最重要的是要控制應力。其次,需要控制導電性,這有兩種方法:一個是摻Ge,一個是摻Si,業內目前傾向于摻Ge。最后,需要對材料進行表面拋光大,達到更完美的表面質量。
氮化鎵單晶材料非常重要,從技術上已經可以生產2英寸、4英寸和6英寸,但產業的真正發展還需要和器件的用戶共同推進。

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